Spectromètre de masse pour l'analyse des couches minces, des plasmas et l'élaboration de surfaces

Cette large gamme de spectromètres de masse est dédiée à l'analyse de gaz résiduels (RGA), de plasma, mais aussi à l'analyse de surface et à la détection de fin d'attaque par SIMS.

HPR-30 : mesure les gaz de procédés sous vide, les contaminations et la détection de fuites

Analyseur de gaz résiduels pour analyses de procédés sous vide

  • Gamme de masse : 200, 300 ou 510 amu
  • Mesure la composition des gaz de procédés sous vide : oui
  • Mesure de contaminations et détection de fuites : oui
  • Concentration minimale détectable : 5 ppb
  • Pression d'échantillonnage (standard) : 10-3 à 5 mbar
  • Pression d'échantillonnage (option) : < 10-4 mbar
  • Vitesse de mesure : jusqu'à 500 mesures par seconde

EQP : mesure de spectres de masse et de distribution d'énergie des ions, neutres et radicaux dans les plasmas

Pour l'analyse d'ions positifs ou négatifs, de neutres, ou de radicaux issus de procédés plasmas

  • Gamme de masse : 300, 510, ou 1000 amu
  • Analyse d'ions : ions positifs et négatifs
  • Analyse de neutres : neutres et radicaux neutres
  • Pression de plasma (standard) : jusqu'à 0.5 mbar
  • Pression de plasma (option) : jusqu'à 2 mbar, 100 mbar et pression atmosphérique
  • Options d'échantillonnage : électrodres DC et RF
  • Gamme d'analyse en énergie : 100 eV ou 1000 eV

PSM : mesure de spectres de masse pour les ions, neutres, et radicaux dans les plasmas

Analyseur en masse et énergie pour le diagnostic plasma

  • Gamme de masse : 300 ou 510 amu
  • Analyse d'ions : ions positifs
  • Analyse d'ions (option) : ions négatifs
  • Analyse de neutres : neutres et radicaux neutres
  • Pression de plasma : jusqu'à 0.5 mbar
  • Gamme d'analyse en énergie : 100 eV

ESPion : mesure des propriétés électriques des plasmas basse pression

Sonde de Langmuir évoluée pour diagnostics plasma

  • Types de plasmas : pour plasmas DC, RF, pulses ou ECR
  • Densité d'ions et d'électrons : 1014 - 1019 m3
  • Température électronique : jusqu'à 10 eV
  • Pression de plasma : jusqu'à 0.5 mbar
  • Option pour bras translateur : 300, 600 ou 900 mm

XBS : analyse de faisceaux d'ions et contrôle de la vitesse de dépôt

Système pour l'analyse de plusieurs sources dans les applications de déposition MBE

  • Gamme de masse : 320 ou 510 amu
  • Détermination du taux de croissance : < 0,01 Angstrom par seconde, dépendant des espèces
  • Source spécifique pour faisceaux d'ions croisés : +/-35d'ouverture des faisceaux - modélisé en 3D
  • Données de sortie : sorties analogiques en temps réel
  • Mode RGA - analyse de gaz résiduels : détection de fuites et analyse du vide

IMP-EPD : détection de fin d'attaque pour gravure par plasma ou faisceau d'ions

Système pour le contrôle de gravure ionique et qualité optimum du procédé

  • Gamme de masse : 300 ou 510 amu
  • Analyse de multicouches : fin d'attaque à +/- 5 Angstrom
  • Haute sensibilité : opère avec des couches couvertes à 99.9%
  • Automatisé : recettes d'automatisation intégrées
  • Comptage de couches : oui
  • Fin d'attaque sur interface sélectionnée : oui
  • Fin d'attaque sur multicouche : oui
  • Mode RGA - analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide

TPD Workstation : mesure de désorption programmée en température pour couches minces

Système pour études de désorption programmée en désorption UHV (TPD/TDS)

  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Poste échantillon chauffant : ambiant à 1000oC
  • Vitesse de rampe : 20 - 40oC par minute
  • Détecteur : compteur d'ions (PIC)
  • Affichage en temps réel 3D : oui
  • Vues de données multiples : oui
  • Intégration de pics et déconvolution : oui
  • Soustraction de background : oui
  • Chambre sous vide multi ports : oui
  • Permet l'adaptation d'instrumentation supplémentaire : oui (comme l'ellipsométrie)
  • Vitesse de mesure : jusqu'à 500 mesures par seconde
  • Taille de l'échantillon : 10 x 10 mm

SIMS/SNMS Workstation : caractérisation rapide et facile de la structure de couches, contamination de surface et impuretés

Une conception avancée pour l'analyse de surfaces

  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Concentration minimale détectable : analyse de contamination au niveau ppm/ppb
  • SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène, d'argon ou oxygène, d'argon ou cesium)
  • SNMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène, d'argon ou oxygène, d'argon ou cesium)
  • Résolution en épaisseur : +/- 5 nm
  • Concentration minimale détectable - SIMS : 1016 atomes par cm3 - dépendant des espèces
  • Concentration minimale détectable - SNMS : 0.01% - dépendant des espèces
  • Chambre UHV multiports : oui
  • Permet l'adaptation d'instrumentation supplémentaire : oui (XPS)

Compact SIMS : mesure la composition de surface des premiers nanomètres ou micromètres

Système d'analyse UHV pour profilage de couches minces

  • Gamme de masse : 50, 300, 510 ou 1000 amu
  • Concentration minimale détectable : ppm
  • SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène ou argon)
  • SNMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène ou argon)
  • Résolution en épaisseur : 3 nm
  • Concentration minimale détectable - SIMS : 1017 atomes cm-3
  • Concentration minimale détectable - SNMS : 1%
  • Chambre UHV multiports : chambre à géométrie fixée facile d'accès
  • Instruments supplémentaires : non

EQS : utilisé avec un système SIMS ou FIB-SEM - fournit une analyse de composition de surface et une cartographie des éléments

Analyseur SIMS

  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Analyse d'ions : ions positifs et négatifs
  • Analyses d'énergie d'ions : 100eV, 1000eV (option)
  • Sensibilité : > 106 comptage/seconde par nano ampère pour Aluminium
  • Mode RGA - analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide
  • SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène, d'argon ou cesium)
  • Microscopie FIB-SEM - SIMS : oui
  • Compatible avec microscope à faisceau électronique finement focalisé : oui (comme le FIB-SEM Zeiss Auriga 60)

MAXIM : utilisé avec un système SIMS/SNMS - permet l'analyse de composition de surface ainsi que la cartographie des éléments

Analyseur SIMS/SNMS

  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Analyse d'ions : ions positifs et négatifs
  • Analyse d'énergie d'ions : 100 eV
  • Sensibilité : > 106 comptage/second par nano ampère pour Aluminium
  • SIMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène, argon ou cesium)
  • SNMS - Spectrométrie de masse d'ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d'oxygène, argon ou cesium)
  • Mode RGA - analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide

IG5C : source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des éléments d'espèces électronégatives

Canon à ions au Cesium de 5keV pour les applications d'analyse de surfaces

  • Ions primaires : Cs+
  • Energie d'ions : 0.5 à 5.0 KeV
  • Diamètre de spot minimum : 20 µm
  • Champ de déflection pour la cartographie : +/- 4 mm
  • Courant de faisceau d'ions : 0.1 à 150 nA
  • Taux de gravure maximum : 30 nm/min pour une cible en silicium

IG20 : source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des éléments d'espèces électronégatives

Canon à ions de 5keV Argon ou Oxygène pour l'analyse de surface en UHV

  • Ions primaires : Oxygène, Argon, Xenon
  • Energie d'ions : 0.5 à 5 KeV
  • Taille minimale du spot (cartographie des éléments) : 50 µm
  • Taille minimale du spot (profilage en épaisseur) : 100 µm
  • Champ de déflection pour la cartographie : +/- 4 mm
  • Courant de faisceaux d'ions : 1.0 à 800 nano ampères
  • Taux de gravure rapide typiques - Si (5keV Ar 600nA) : 50nm/s, cratère de 450µm x 650µm